化學機械研磨 CMP ( Chemical Mechanical Planarization ) 中，該如何準確的研磨到該停止的地方很重要，這會避免過磨或移除太少的情況發生
而研磨到哪裡該停止，稱為『CMP 研磨終點 EPD (End Point Detection)』
除了設定固定的研磨秒數之外，常見的 CMP 研磨終點 EPD 的偵測方式主要分為以下幾種：
馬達電流 (motor current)
機台會給platen一個電流使 platen 轉動，而一般 CMP 會設定一個固定轉速 rpm
要維持這個轉速，機台就必須要持續給platen一個固定的電流
wafer 接觸到 pad 表面時，磨擦力會使機台加大電流使 platen 維持這個固定轉速
然而當接近研磨終點 EPD，wafer 上研磨的材料變化會導致磨擦力的變化，這時機台所供給的電流也會變化
以這個電流值變化當作 CMP 研磨終點EPD抓取的方法就稱為 motor current
光學偵測
由於wafer上的不同物質反射率不同，例如鎢(Tungsten)製程，接近研磨終點時wafer表面材料會從Tungsten轉變成Oxide
而金屬Tungsten擁有高反射率，非金屬Oxide反射率低很多
因此運用光學偵測的機台會從platen下方打一道光線出來，通常是紅光或白光
所以也常看到CMP pad上有一個透明的區域，我們稱為pad window，目的就是為了讓偵測光線通過
當打到晶圓上被反射回來的光線強度產生了改變，也就抓到了研磨終點 EPD
渦電流 (eddy current)
渦電流的EPD偵測原理主要是用磁場的感應電流，機台會給wafer一個磁場，並且反饋一個感應電流
因此當wafer逐漸到達研磨終點時，晶圓表面的材料產生改變，伴隨電流的改變即可抓到研磨終點
其它的偵測方式如聲波、震動、溫度..等實務上比較少遇到，主要還是以上面三種 EPD的偵測方式較常遇到
參考資料來源：A comprehesive review of end point detection in CMP
延伸閱讀：【CMP化學機械研磨】不同CMP製程slurry的特點
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